| 石武 青年研究员 Email:shiwu@fudan.edu.cn 办公地点：江湾校区交叉一号楼B1014 |
个人简介：
石武，2006年本科毕业于清华大学物理系，2011年在香港科技大学物理系获得博士学位。2011至2017年分别在日本东京大学应用物理系和美国劳伦斯伯克利国家实验室材料科学部任博士后研究员，2017年至2020年担任劳伦斯伯克利国家实验室材料项目科学家。2020年10月加入复旦大学微纳电子器件与量子计算机研究院，任职青年研究员。长期从事低维量子材料的生长表征、微纳器件制备与物性调控、低温输运和超导特性研究等。已在Nature Electronics、Nature Communications、PRL等学术期刊发表SCI论文29篇，累计SCI引用超过1000次。2021年入选上海市海外高层次人才引进计划。
科研经历和研究方向：
目前主要研究方向聚焦在低维量子材料以及其薄膜异质结构的物性调控。特别是发展和应用基于离子液体的电双层场效应晶体管和可控电子束掺杂等非常规载流子浓度调控技术，结合微纳电子器件制备和低温输运测量，探索在低维电子体系中场效应诱导的奇异物理现象，例如电场诱导的金属绝缘体转变，界面超导，结构相变和铁磁相变等。在揭示新的物理现象的基础上构造和实现基于低维量子材料的新型高性能和低功耗的电子器件。
Research Interest:
Dr. Shi’s laboratory focuses on the study of low-dimensional quantum materials and their applications in nano-electronic devices. Of particular interest is the control of exotic electronic states of low-dimensional quantum materials and related van der Waals heterostructures. We develop and utilize multiple carrier density modulation techniques including ionic liquid based electrical double layer transistors (EDLTs) and controllable electron beam doping, in combination with nanofabrication and low-temperature transport techniques, to explore novel quantum phenomena in low-dimensional electron systems, such as electric-field induced metal-insulator transition, interfacial superconductivity, structural phase transition, ferromagnetic transition and so on. We aim to uncover new physical phenomena and construct new types of high-performance and low-power electronic devices based on low-dimensional quantum materials.
